Введение фосфора
Процесс «легирования» вводит атом другого элемента в кристалл кремния, чтобы изменить его электрические свойства. Добавка имеет три или пять валентных электронов, в отличие от четырех кремниевых. Атомы фосфора, которые имеют пять валентных электронов, используются для легирования кремния n-типа (фосфор обеспечивает его пятый свободный электрон).
фосфор атом занимает то же место в кристаллической решетке, которую занимал ранее замещенный атом кремния. Четыре из его валентных электронов принимают на себя обязанности связывания четырех кремниевых валентных электронов, которые они заменили. Но пятый валентный электрон остается свободным, без обязательств по связыванию. Когда в кристалле кремний замещают многочисленные атомы фосфора, становится доступным много свободных электронов. Замена атома фосфора (с пятью валентными электронами) на атом кремния в кристалле кремния оставляет дополнительный несвязанный электрон, который относительно свободно перемещается вокруг кристалла.
Наиболее распространенный метод легирования - покрыть верхнюю часть слоя кремния фосфором, а затем нагреть поверхность. Это позволяет атомам фосфора диффундировать в кремний. Затем температура понижается, так что скорость диффузии падает до нуля. Другие способы введения фосфора в кремний включают газообразную диффузию, жидкую легирующую примесь процесс распыления, и метод, в котором ионы фосфора направляются точно в поверхность кремний.
Представляем бор
Конечно, кремний n-типа не может образовывать электрическое поле сам по себе; Также необходимо изменить кремний, чтобы иметь противоположные электрические свойства. Таким образом, бор, имеющий три валентных электрона, используется для легирования кремния р-типа. Бор вводится во время обработки кремния, где кремний очищается для использования в фотоэлектрических устройствах. Когда атом бора занимает положение в кристаллической решетке, ранее занимавшейся атомом кремния, возникает связь, в которой отсутствует электрон (другими словами, дополнительная дырка). Замена атома бора (с тремя валентными электронами) на атом кремния в кристалле кремния оставляет дыру (связь, в которой отсутствует электрон), которая относительно свободно перемещается вокруг кристалла.
Другой полупроводниковые материалы.
Как и кремний, все фотоэлектрические материалы должны быть преобразованы в конфигурации p-типа и n-типа для создания необходимого электрического поля, которое характеризует фотоэлемент. Но это делается разными способами в зависимости от характеристик материала. Например, уникальная структура аморфного кремния делает необходимым собственный слой или «i слой». Этот нелегированный слой аморфного кремния помещается между слоями n-типа и p-типа, образуя так называемую конструкцию «p-i-n».
Поликристаллические тонкие пленки, такие как диселенид меди индия (CuInSe2) и теллурид кадмия (CdTe), показывают большие перспективы для фотоэлементов. Но эти материалы нельзя просто легировать для формирования n и p слоев. Вместо этого слои разных материалов используются для формирования этих слоев. Например, «оконный» слой из сульфида кадмия или другого подобного материала используется для обеспечения дополнительных электронов, необходимых для его n-типа. CuInSe2 может сам по себе быть p-типа, тогда как CdTe выигрывает от слоя p-типа, сделанного из материала, такого как теллурид цинка (ZnTe).
Арсенид галлия (GaAs) модифицируют аналогичным образом, обычно с помощью индия, фосфора или алюминия, для получения широкого спектра материалов n- и p-типа.